1) 符号： Q、MN、MP、MF、FET、

MOSFET－绝缘栅型场效应管，栅极与其他极绝缘相当于电容；

2) 分类：

现在主板上应用的都是增强型的场效应管。

3) 特性和工件状态：

① 特性：MOSFET 是一种电压控制型器件，改变UGS 就

可以控制ID 的大小；

② 工作状态：

a、截止：UGS＝0 时，ID＝0，MOSFET 截止，D、S 之间相当于开路；

b、导通：UGS≥UGS（th）时，MOSFET 导通，D、S 之间相当于导线，电流可以从D 到S，

也可以从S 到D；

UGS（th）：为MOSFET 的开启电压，0.45－3V 之间；

c、放大：0＜ UGS ＜UGS（th）时，MOSFET 处于放大状态；ID 与UGS 成正比，工作在线

性区，D、S 间相当于可变电阻，阻值与UGS 成反比；

UGS(th): 场效应管的开启电压，0.45－3V。（ MOSFET 的参数）

4) 型号与参数：

① 型号命名规则：日本：

a、IR 公司原创型号：FAIRCHILD·ST

b、PHILIPS·ONSEMT

c、FAIRCHILD（仙童）、CET（台湾华瑞）、NIKO（台湾尼克森）

FDB7030L 70A 30V

CEB6030L 60A 30V

d、其他型号请查询：www.alldatasheet.com

② 参数：

a、极限参数：

电流IDM

功率PDM

耐压VBD（DSS）

b、导通电阻：RDS（ON）单位为欧姆，越小越好，一般为10 欧姆左右；

c、开启电压：UGS（th） 通常为0.45－3V

5) 测量与代换：

a、引脚识别：

目测：

b、极性判断：

MOSFET 只有一组数值（用二极管档测量），100－900 之间，S（红）→D（黑）有数

值时是N 沟道；

D（红）→S（黑）有数值时是P 沟道；

注意：测量时先短接GS 放电；

c、好坏判断：G→S 、G→D 没有数值就是好的，常见故障为击穿；

d、代换原则：同型号代换或极性相同、极限参数接近的代换。

4、晶闸管(可控硅)

全称晶体闸流管，旧称可控硅，是一种以小电流控制大电流的功率型开关器件。

1) 符号：Q、SCR、TRIAC、VS、VT、T

A：阳极

G：控制极

K：阴极

单向晶闸管：SCR 如：BT169

MCR100－6

MCR100－8

BT169 菲利蒲显示器的保护电路，应用于直流电路。

双向晶闸管：TRIAC 如：BTA 系列

MAC 系列

BTBX

双向晶闸管多用于交流电路，打印机、复印机交流开关使用。

2) 特性：

① SCR

G 极不触发，A、K 之间不导通；

G 极有触发电流，A、K 之间导通；

A 、K 导通以后，即使失去触发电流仍然维持导通；

② TRIAC

控制极有触发电流时，T1－T2 可以双向导通通过交流电，失去触发电流以后，TRIAC 会在交

流电过零时关断。（可以认为：有触发电流时导通，无触发电流时关断）；

可以理解为没有触点的继电器；（固态继电器）；

3) 测量与代换：单项晶闸管只有G 到K 之间有一组数值，其它各极均为无穷大。

双向晶闸管G 到T1 双向有数值，T1、T2 之间不能有数值。

代换原则：同型号代换，或者用参数接近的代换。